이같은 팹라인 스톱은 그동안 전례를 찾아 볼 수 없을 정도의 파격적인 조치로 청주공장의 경우 주요 생산라인 절반이 가동을 멈추게 된다.

이로 인해 지난달 청주공장 M11라인 준공후 기대됐던 청주지역 고용유발 효과는 당분간 어렵게 됐다.

18일 하이닉스반도체는 300mm(12인치) 공장과 비교해 생산성이 떨어지는 200mm 웨이퍼 가공 공장 구조조정을 당초 일정보다 앞당겨 200mm 공장을 연내 1곳만 남기고 3곳의 운영을 중단키로 했다고 밝혔다.

하이닉스는 이미 지난달 미국 유진공장의 E1라인을 중단했고 이달 M9와 M7 라인 중단에 이어 올 12월에 중국 C1 공장을 중단할 계획이다.

하이닉스는 현재 경기 이천에 M7라인 M10라인을, 청주에 M8라인 M9라인을 두고 있다. 해외 생산거점으로는 중국 우시 C1라인 C2라인, 미국 유진 E1라인 등을 두고 있으며 이 밖에 대만 프로모스와 전략적 제휴를 체결하고 2005년 하반기부터 프로모스 공장에서 D램을 위탁생산(파운드리)하고 있다.

하이닉스는 기존 M10라인 C2라인 등 2곳의 300mm 라인에 이어 지난달 청주 M11라인 가동과 함께 추가로 C1라인을 300mm로 전환함으로써 300mm 라인을 총 4곳 보유케 될 전망이다. 프로모스 파운드리 라인 역시 300mm다.

하이닉스는 C1라인을 중국 반도체 위탁생산(파운드리) 업체인 CSMC에 매각키로 하고 올해 12월 가동 중단키로 하는 한편 E1라인 가동을 지난달 중단하는 등 채산성이 악화되고 있는 200mm 공장에 대한 구조조정에 나서고 있다.

특히 나머지 200mm 공장인 M9라인 M8라인 M7라인 가운데 이달중 M9라인 M7라인 역시 가동을 중단키로 결정하면서 200mm 공장은 연내 M8라인 1곳으로 줄어들 전망이다.

하이닉스가 메모리반도체 사업에 이어 추진중인 비메모리반도체(시스템LSI) 및 파운드리 사업은 당초 계획했던 M7라인이 아닌 M8라인에서 진행될 전망이다.

M8라인은 반도체 원판(웨이퍼) 기준 월 13만장 규모 낸드플래시 생산을 유지하려던 당초 계획을 바꿔 공급이 절대적으로 필요한 제품만 생산하기로 함으로써 하이닉스의 200mm 원판 생산 비율은 지난해 말 월 50% 수준에서 내년 초 10% 이하로 줄어들 전망이다.

한편 200mm 라인 내 설비를 교체해 300mm 공정으로 전환하는 한편 비메모리반도체 생산에도 적극 활용하는 등의 방법으로 200mm 공장에 대한 구조조정을 본격화하고 있다.

하이닉스 청주공장 길근섭 상무는 "300mm 공정의 지속적인 생산성 향상으로 원가경쟁력을 높일 계획"이라고 말했다.